RH6P040BHTB1 与 ISZ230N10NM6 区别
| 型号 | RH6P040BHTB1 | ISZ230N10NM6 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RH6P040BHTB1 | A-ISZ230N10NM6 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Nch 100V 40A, HSMT8, Power MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | HSMT8 | PG-TSDSON-8 FL |
| 功率耗散Pd | 59W | - |
| 连续漏极电流Id | 40A | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C | - |
| 漏源极电压Vds | 100V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 15.6mΩ@40A,10V | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 130 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RH6P040BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 40A 100V HSMT8 59W ±20V 15.6mΩ@40A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 130 | 当前型号 |
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BSZ160N10NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 40A 14mΩ 20V 63W N-Channel -55°C~150°C PG-TSDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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ISZ230N10NM6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
PG-TSDSON-8 FL |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSZ340N08NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
80V 23A 34mΩ@12A,10V 20V 32W -55°C~150°C PG-TSDSON-8 N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSZ440N10NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 100V 18A 44mΩ@12A,10V ±20V 29W N-Channel PG-TSDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSZ146N10LS5 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 40A 20.8mΩ N-Channel 1.1V,2.3V PG-TSDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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