RH6L040BGTB1 与 SIS862ADN-T1-GE3 区别
| 型号 | RH6L040BGTB1 | SIS862ADN-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RH6L040BGTB1 | A-SIS862ADN-T1-GE3 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Nch 60V 65A, HSMT8, Power MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | HSMT8 | SOT1210 |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 65A | 15.8A(Ta),52A(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 7.1mΩ@40A,10V | 7,2 mOhms @ 10A,10V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 59W | 3.6W(Ta),39W(Tc) |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| Vgs(th) | - | 2.5V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 20 | 30 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RH6L040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 N-Channel 59W 7.1mΩ@40A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 65A |
暂无价格 | 20 | 当前型号 |
|
BSZ100N06LS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 20A 7.7mΩ 20V 50W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
SIS862ADN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
15.8A(Ta),52A(Tc) N-Channel 7,2 mOhms @ 10A,10V 3.6W(Ta),39W(Tc) -55°C~150°C 60V SOT1210 |
暂无价格 | 30 | 对比 |
|
|
SIS862DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
40A(Tc) N-Channel ±20V 8.5mΩ@20A,10V 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 20 | 对比 |
|
SIS4608LDN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1210 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
NVTFS5820NLTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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