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RH6L040BGTB1  与  BSZ065N06LS5  区别

型号 RH6L040BGTB1 BSZ065N06LS5
唯样编号 A3-RH6L040BGTB1 A-BSZ065N06LS5
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 60V 65A, HSMT8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.1mΩ@40A,10V 9.4mΩ
漏源极电压Vds 60V 60V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 59W -
Ciss - 1400.0pF
Coss - 300.0pF
栅极电压Vgs ±20V 1.1V,2.3V
RthJA max - 62.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 3.3nC
Pin Count - 8.0Pins
封装/外壳 HSMT8 -
Mounting - SMD
工作温度 -55°C~150°C -55.0°C
连续漏极电流Id 65A 40A
Ptot max - 46.0W
QG - 10.0nC
Budgetary Price €€/1k - 0.32
RthJC max - 2.7K/W
库存与单价
库存 20 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RH6L040BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8 N-Channel 59W 7.1mΩ@40A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 65A

暂无价格 20 当前型号
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