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RGS80TSX2DGC11  与  RGS80TSX2DHRC11  区别

型号 RGS80TSX2DGC11 RGS80TSX2DHRC11
唯样编号 A3-RGS80TSX2DGC11 A33-RGS80TSX2DHRC11-1
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 IGBT晶体管
描述 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极脉冲(Icm) 120 A 120A
功率 555 W -
栅极电荷 104 nC 104nC
功率-最大值 - 555W
产品特性 - 车规
输入类型 标准 标准
IGBT类型 沟槽型场截止 沟槽型场截止
25°C时Td(开/关)值 49ns/199ns 49ns/199ns
反向恢复时间Trr 198 ns -
电流-集电极(Ic)(最大值) 80 A 80A
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) 2.1V @ 15V,40A 2.1V @ 15V,40A
电压-集射极击穿(最大值) 1200 V 1200V
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ) -40°C ~ 175°C(TJ)
开关能量 3mJ(开),3.1mJ(关) 3mJ(开),3.1mJ(关)
测试条件 600V,40A,10 欧姆,15V 600V,40A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr) - 198ns
库存与单价
库存 277 450
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
2+ :  ¥105.1477
10+ :  ¥59.7846
50+ :  ¥54.1119
100+ :  ¥50.3268
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RGS80TSX2DGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 IGBT晶体管

555 W TO-247-3 -40°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 277 当前型号
RGS80TSX2DHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 IGBT晶体管

TO-247-3 -40°C ~ 175°C(TJ) 车规

¥15.4991 

阶梯数 价格
450: ¥15.4991
2,250 对比
RGS80TSX2GC11 ROHM Semiconductor  数据手册 IGBT晶体管

555 W TO-247-3 -40°C ~ 175°C(TJ)

¥92.4223 

阶梯数 价格
2: ¥92.4223
10: ¥47.0592
50: ¥41.3864
100: ¥37.6014
450 对比
RGS80TSX2GC11 ROHM Semiconductor  数据手册 IGBT晶体管

555 W TO-247-3 -40°C ~ 175°C(TJ)

¥92.4223 

阶梯数 价格
2: ¥92.4223
10: ¥47.0592
50: ¥41.3864
100: ¥37.6014
450 对比
RGS80TSX2DHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 IGBT晶体管

TO-247-3 -40°C ~ 175°C(TJ) 车规

¥105.1477 

阶梯数 价格
2: ¥105.1477
10: ¥59.7846
50: ¥54.1119
100: ¥50.3268
450 对比
RGS80TSX2HRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 IGBT晶体管

TO-247-3 -40°C ~ 175°C(TJ) 车规

¥95.6707 

阶梯数 价格
2: ¥95.6707
10: ¥50.3076
50: ¥44.6349
100: ¥40.8498
189 对比

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