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RF4L070BGTCR  与  SSM6K217FE,LF  区别

型号 RF4L070BGTCR SSM6K217FE,LF
唯样编号 A3-RF4L070BGTCR A-SSM6K217FE,LF
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Nch 60V 7A, HUML2020L8, Power MOSFET MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 40 V
Pd-功率耗散(Max) - 500mW(Ta)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 195 毫欧 @ 1A,8V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 130 pF @ 10 V
Vgs(th) - 1.2V @ 1mA
FET类型 - N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 1.1 nC @ 4.2 V
封装/外壳 HUML2020L8 (Single) ES6
工作温度 - 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 1.8A(Ta)
Vgs(最大值) - ±12V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 1.8V,8V
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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1,000: ¥0.285
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2 对比
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1,000: ¥1.1272
1,500: ¥0.9239
3,000: ¥0.8323
15,000 对比

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