RF4E110GNTR 与 PMPB20EN,115 区别
| 型号 | RF4E110GNTR | PMPB20EN,115 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RF4E110GNTR | A36-PMPB20EN,115-1 | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Nexperia | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6 | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 11.3mΩ@11A,10V | - | ||||
| 上升时间 | 5.5ns | - | ||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 1.7W | ||||
| Qg-栅极电荷 | 7.4nC | - | ||||
| 输出电容 | - | 90pF | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V,1.5V | ||||
| 典型关闭延迟时间 | 21ns | - | ||||
| 正向跨导 - 最小值 | 6S | - | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | DFN2020-8 | SOT1220 | ||||
| 连续漏极电流Id | 11A | 10.4A | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C | ||||
| 系列 | RF4E110GN | - | ||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||
| 配置 | Single | - | ||||
| 输入电容 | - | 435pF | ||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 19.5mΩ@10V,24.5mΩ@4.5V | ||||
| 下降时间 | 3ns | - | ||||
| 典型接通延迟时间 | 9ns | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 110 | 946 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RF4E110GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 110 | 当前型号 | ||||||
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PMEG4010CEAX | Nexperia | 数据手册 | SBD肖特基二极管 |
SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 2 | 对比 | ||||||
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PMEG4010CEAX | Nexperia | 数据手册 | SBD肖特基二极管 |
SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 1 | 对比 | ||||||
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74LVCH2T45GT,115 | Nexperia | 数据手册 | 变换器/转换器 |
SOT833 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
PMPB20EN,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 N-Channel 1.7W 150°C 20V,1.5V 30V 10.4A |
￥0.7689
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946 | 对比 | ||||||
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PMPB07R3ENX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN2020M-6 N-Channel -55°C~150°C ±20V 30V 8.6mΩ@12A,10V 12.5W(Tc) 12A |
暂无价格 | 420 | 对比 |
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