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RF4E110GNTR  与  PMEG4010CEAX  区别

型号 RF4E110GNTR PMEG4010CEAX
唯样编号 A3-RF4E110GNTR A36-PMEG4010CEAX
制造商 ROHM Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET SBD肖特基二极管
描述 DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
反向电压Vr - 40V
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.3mΩ@11A,10V -
上升时间 5.5ns -
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 7.4nC -
栅极电压Vgs ±20V -
正向跨导 - 最小值 6S -
封装/外壳 DFN2020-8 SOD-323
连续漏极电流Id 11A -
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
配置 Single -
下降时间 3ns -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2W -
典型关闭延迟时间 21ns -
FET类型 N-Channel -
反向漏电流Ir - 8uA
系列 RF4E110GN -
通道数量 1Channel -
反向峰值电压Vrrm - 40V
正向电压Vf - 0.84V
尺寸 - 1.7 x 1.25 x 0.95
正向电流If - 1A
正向浪涌电流Ifsm - 8A
二极管电容 - 24pF@VR=1V
典型接通延迟时间 9ns -
库存与单价
库存 110 2
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4E110GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

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