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RF4E080GNTR  与  DMG4800LFG-7  区别

型号 RF4E080GNTR DMG4800LFG-7
唯样编号 A3-RF4E080GNTR A36-DMG4800LFG-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 17.6mΩ -
上升时间 3.6ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 940mW(Ta)
Qg-栅极电荷 5.8nC -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 17mΩ@9A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 798 pF @ 10 V
栅极电压Vgs 2.5V ±25V
典型关闭延迟时间 17.3ns -
正向跨导 - 最小值 5S -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 9.47 nC @ 5 V
封装/外壳 DFN2020-8 U-DFN3030-8
连续漏极电流Id 8A 7.44A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C -55℃~150℃(TJ)
系列 RF4E080GN -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
驱动电压 - 4.5V,10V
下降时间 2.4ns -
典型接通延迟时间 6.9ns -
库存与单价
库存 200 0
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4E080GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8A 2W 17.6mΩ 30V 2.5V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 200 当前型号
PMEG4010CEAX Nexperia  数据手册 SBD肖特基二极管

PMEG4010CEA_SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55℃~150℃ 车规

¥0.5358 

阶梯数 价格
1: ¥0.5358
100: ¥0.4059
1,000: ¥0.3171
1,500: ¥0.26
3,000: ¥0.226
3,002 对比
PMEG4010CEAX Nexperia  数据手册 SBD肖特基二极管

PMEG4010CEA_SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55℃~150℃ 车规

¥0.5632 

阶梯数 价格
90: ¥0.5632
178 对比
DMG4800LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 940mW(Ta) ±25V U-DFN3030-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 7.44A(Ta)

暂无价格 0 对比
74LVCH2T45GT,115 Nexperia  数据手册 变换器/转换器

74LVCH2T45GT_SOT833

¥1.5945 

阶梯数 价格
1,190: ¥1.5945
2,500: ¥1.307
5,000: ¥1.1365
0 对比
74LVCH2T45GT,115 Nexperia  数据手册 变换器/转换器

74LVCH2T45GT_SOT833

暂无价格 0 对比

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