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RF4E080GNTR  与  DMG4800LFG-7  区别

型号 RF4E080GNTR DMG4800LFG-7
唯样编号 A3-RF4E080GNTR A36-DMG4800LFG-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 17.6mΩ -
上升时间 3.6ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 940mW(Ta)
Qg-栅极电荷 5.8nC -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 17mΩ@9A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 798 pF @ 10 V
栅极电压Vgs 2.5V ±25V
典型关闭延迟时间 17.3ns -
正向跨导 - 最小值 5S -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 9.47 nC @ 5 V
封装/外壳 DFN2020-8 U-DFN3030-8
连续漏极电流Id 8A 7.44A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 RF4E080GN -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
驱动电压 - 4.5V,10V
下降时间 2.4ns -
典型接通延迟时间 6.9ns -
库存与单价
库存 200 6,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.463
100+ :  ¥1.166
750+ :  ¥1.045
1,500+ :  ¥0.9867
3,000+ :  ¥0.935
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4E080GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8A 2W 17.6mΩ 30V 2.5V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 200 当前型号
DMG4800LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

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¥1.463 

阶梯数 价格
40: ¥1.463
100: ¥1.166
750: ¥1.045
1,500: ¥0.9867
3,000: ¥0.935
6,000 对比
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