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RF4E080GNTR  与  74LVCH2T45GT,115  区别

型号 RF4E080GNTR 74LVCH2T45GT,115
唯样编号 A3-RF4E080GNTR A-74LVCH2T45GT,115
制造商 ROHM Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 变换器/转换器
描述 IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 17.6mΩ -
工作热阻 - 144,307
上升时间 3.6ns -
电源电压 - 1.2 - 5.5V,1.2 - 5.5V
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2W -
Qg-栅极电荷 5.8nC -
传播延迟时间 - 2.5ns
栅极电压Vgs 2.5V -
典型关闭延迟时间 17.3ns -
正向跨导 - 最小值 5S -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 DFN2020-8 SOT833
连续漏极电流Id 8A -
工作温度 -55°C~150°C -40~125℃
系列 RF4E080GN -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
输出电流 - ± 24mA
通道数 - 2
下降时间 2.4ns -
典型接通延迟时间 6.9ns -
逻辑切换水平 - CMOS/LVTTL
库存与单价
库存 200 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
1,190+ :  ¥1.5945
2,500+ :  ¥1.307
5,000+ :  ¥1.1365
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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