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RF4E070GNTR  与  PMEG4010CEAX  区别

型号 RF4E070GNTR PMEG4010CEAX
唯样编号 A3-RF4E070GNTR A36-PMEG4010CEAX
制造商 ROHM Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET SBD肖特基二极管
描述 30V, 7A, 21.4 MOHM, PQFN 2X2 DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
反向电压Vr - 40V
Rds On(Max)@Id,Vgs 21.4mΩ@7A,10V -
漏源极电压Vds 30V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 HUML SOD-323
反向漏电流Ir - 8uA
工作温度 150°C(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id 7A -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 220pF @ 15V -
反向峰值电压Vrrm - 40V
正向电压Vf - 0.84V
尺寸 - 1.7 x 1.25 x 0.95
正向电流If - 1A
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.8nC @ 10V -
正向浪涌电流Ifsm - 8A
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
二极管电容 - 24pF@VR=1V
库存与单价
库存 160 178
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
90+ :  ¥0.5632
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4E070GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 21.4mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML N-Channel 30V 7A

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1: ¥0.5358
100: ¥0.4059
1,000: ¥0.3171
1,500: ¥0.26
3,000: ¥0.226
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阶梯数 价格
1: ¥1.7787
100: ¥1.3475
1,000: ¥1.0527
1,500: ¥0.8629
3,000: ¥0.7503
80 对比

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