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RF4C100BCTCR  与  74LVCH2T45GT,115  区别

型号 RF4C100BCTCR 74LVCH2T45GT,115
唯样编号 A3-RF4C100BCTCR A-74LVCH2T45GT,115
制造商 ROHM Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 变换器/转换器
描述 IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 2W -
工作热阻 - 144,307
电源电压 - 1.2 - 5.5V,1.2 - 5.5V
漏源极电压Vds 20V -
传播延迟时间 - 2.5ns
栅极电压Vgs ±8V -
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 DFN2020-8 SOT833
连续漏极电流Id 10A(Ta) -
工作温度 -55°C~150°C -40°C~125°C
输出电流 - ± 24mA
栅极电荷Qg 23.5nC@4.5V -
通道数 - 2
导通电阻Rds(On) 15.6mΩ@10A,4.5V -
逻辑切换水平 - CMOS/LVTTL
库存与单价
库存 6,240 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
5,000+ :  ¥1.9463
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4C100BCTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

10A(Ta) P-Channel 15.6mΩ@10A,4.5V ±8V 2W DFN2020-8 -55°C~150°C 20V

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300,000 对比

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