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R8010ANX  与  IPA60R460CEXKSA1  区别

型号 R8010ANX IPA60R460CEXKSA1
唯样编号 A3-R8010ANX A-IPA60R460CEXKSA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 9.1A TO220-FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 10.3mm -
功率耗散(最大值) - 30W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 560mΩ -
上升时间 54ns -
Qg-栅极电荷 62nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 620pF @ 100V
栅极电压Vgs 3V -
正向跨导 - 最小值 2.2S -
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3 整包
工作温度 150°C(TJ) -40°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 28nC @ 10V
配置 Single -
长度 15.4mm -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 460 毫欧 @ 3.4A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
下降时间 25ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1750pF @ 25V -
高度 4.8mm -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 800V -
Pd-功率耗散(Max) 40W -
典型关闭延迟时间 97ns -
FET类型 - N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 280uA
系列 R8010ANX -
通道数量 1Channel -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 9.1A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 600V
典型接通延迟时间 43ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 62nC @ 10V -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R8010ANX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3 15.4mm

暂无价格 100 当前型号
STF13N80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

¥10.494 

阶梯数 价格
5: ¥10.494
100: ¥8.888
1,000: ¥8.47
19,850 对比
AOTF12N60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F

暂无价格 0 对比
STFU13N80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP

暂无价格 0 对比
SPA11N80C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPA11N80C3XKSA1_10.65mm

暂无价格 0 对比
IPA60R460CEXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R460CE_TO-220-3整包

暂无价格 0 对比

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