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R8008ANX  与  IPA80R1K0CEXKSA2  区别

型号 R8008ANX IPA80R1K0CEXKSA2
唯样编号 A3-R8008ANX A-IPA80R1K0CEXKSA2
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 5.7A TO220-FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 32W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.03Ω@4A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 800V -
Pd-功率耗散(Max) 50W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 785pF @ 100V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3 整包
连续漏极电流Id 8A(Ta) -
工作温度 150°C(TJ) -40°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 31nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 950 毫欧 @ 3.6A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 5.7A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 800V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1080pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC @ 10V -
库存与单价
库存 500 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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