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R8008ANX  与  AOTF10N65  区别

型号 R8008ANX AOTF10N65
唯样编号 A3-R8008ANX A-AOTF10N65
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 10
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.03Ω@4A,10V 1000mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 11.3
栅极电压Vgs ±30V 30V
Td(on)(ns) - 30
封装/外壳 TO-220-3 TO-220F
连续漏极电流Id 8A(Ta) 10A
工作温度 150°C(TJ) -
Ciss(pF) - 1369
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1080pF @ 25V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 320
Td(off)(ns) - 74
漏源极电压Vds 800V 650V
Pd-功率耗散(Max) 50W(Tc) 50W
Qrr(nC) - 6000
VGS(th) - 5
FET类型 N-Channel N-Channel
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC @ 10V -
Coss(pF) - 118
Qg*(nC) - 27.7*
库存与单价
库存 500 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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