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R8005ANX  与  SPA02N80C3  区别

型号 R8005ANX SPA02N80C3
唯样编号 A3-R8005ANX A-SPA02N80C3
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.08Ω@2.5A,10V 2.7Ω@1.2A,10V
漏源极电压Vds 800V 800V
Pd-功率耗散(Max) 40W(Tc) 30.5W(Tc)
栅极电压Vgs ±30V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 PG-TO220-3
连续漏极电流Id 5A(Tc) 2A(Tc)
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA 3.9V @ 120µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 485pF @ 25V 290pF @ 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 21nC @ 10V 16nC @ 10V
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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