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R6076ENZ4C13  与  R6076ENZ1C9  区别

型号 R6076ENZ4C13 R6076ENZ1C9
唯样编号 A3-R6076ENZ4C13 A33-R6076ENZ1C9
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 76A TO247
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 735W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 42mΩ@44.4A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 120W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 6500pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-247 TO-247
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
连续漏极电流Id - 76A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6500pF @ 25V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 42 毫欧 @ 44.4A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 260nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 76A(Tc) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 600V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V -
库存与单价
库存 689 45
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
3+ :  ¥54.2364
10+ :  ¥52.7512
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6076ENZ4C13 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) N 通道 TO-247

暂无价格 689 当前型号
R6076ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 120W(Tc) 42mΩ@44.4A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 76A

¥179.0578 

阶梯数 价格
1: ¥179.0578
100: ¥103.4954
450: ¥65.6161
450 对比
R6076ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 120W(Tc) 42mΩ@44.4A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 76A

暂无价格 90 对比
R6076ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 120W(Tc) 42mΩ@44.4A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 76A

¥54.2364 

阶梯数 价格
3: ¥54.2364
10: ¥52.7512
45 对比

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