R6055VNZ4C13 与 IPW60R060P7XKSA1 区别
| 型号 | R6055VNZ4C13 | IPW60R060P7XKSA1 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-R6055VNZ4C13 | A-IPW60R060P7XKSA1 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | 600V 55A TO-247, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode | MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | - | 164W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 0.059Ω@15V | - |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 600V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 543W | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2895pF @ 400V |
| 栅极电压Vgs | ±30V | - |
| FET类型 | N-Channel | N 通道 |
| 封装/外壳 | TO-247 | TO-247-3 |
| 连续漏极电流Id | 55A | - |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 4V @ 800uA |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 67nC @ 10V |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 60 毫欧 @ 15.9A,10V |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 48A(Tc) |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 10V |
| 漏源电压(Vdss) | - | 600V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 14 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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R6055VNZ4C13 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-247 N-Channel ±30V 600V 55A 0.059Ω@15V 543W |
暂无价格 | 14 | 当前型号 | ||||||
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IPW60R060P7XKSA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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FCH072N60F | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
52A(Tc) ±20V 481W(Tc) 72m Ohms@26A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 TO-247 N-Channel 600V 52A |
￥11.418
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66 | 对比 | ||||||
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STW65N60DM6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IPW60R070CFD7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
70mΩ 600V 31A TO-247 N-Channel -55°C~150°C 3.5V,4.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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FCH072N60F | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
52A(Tc) ±20V 481W(Tc) 72m Ohms@26A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 TO-247 N-Channel 600V 52A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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