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R6030MNX  与  SPA20N65C3  区别

型号 R6030MNX SPA20N65C3
唯样编号 A3-R6030MNX A-SPA20N65C3
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.85mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 150mΩ@15A,10V 190mΩ
上升时间 - 5ns
漏源极电压Vds 600V 650V
Pd-功率耗散(Max) 90W(Tc) 34.5W
栅极电压Vgs ±30V 20V
典型关闭延迟时间 - 67ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 30A(Tc) 20.7A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSC3
长度 - 10.65mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 4.5ns
典型接通延迟时间 - 10ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2180pF @ 25V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 43nC @ 10V -
高度 - 16.15mm
库存与单价
库存 500 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6030MNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±30V 90W(Tc) 150mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 600V 30A(Tc)

暂无价格 500 当前型号
STF26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 35W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 20A

暂无价格 10,000 对比
STF26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 35W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 20A

¥6.6 

阶梯数 价格
8: ¥6.6
100: ¥5.28
1,000: ¥5.06
2,969 对比
IPA65R190CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA65R190CFDXKSA1_-55°C~150°C(TJ) 650V 17.5A 190mΩ 30V 34W N-Channel

暂无价格 500 对比
AOTF20S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

±30V 199mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 600V 20A TO220F 50W

暂无价格 0 对比
SPA20N65C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPA20N65C3XKSA1_650V 20.7A 190mΩ 20V 34.5W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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