R6030KNZC17 与 R6030KNZC8 区别
| 型号 | R6030KNZC17 | R6030KNZC8 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-R6030KNZC17 | A33-R6030KNZC8 | ||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | - | 86W(Tc) | ||
| 功率耗散(最大值) | 86W(Tc) | - | ||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 2350pF @ 25V | - | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||
| FET类型 | N 通道 | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | TO-3PF | TO-3P-3 | ||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 5V @ 1mA | - | ||
| 连续漏极电流Id | - | 30A(Tc) | ||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 130 毫欧 @ 14.5A,10V | - | ||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | - | ||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 30A(Tc) | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||
| 漏源电压(Vdss) | 600V | - | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 1mA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2350pF @ 25V | ||
| 导通电阻Rds(On) | - | 130mΩ@14.5A,10V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 56nC @ 10V | ||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 56nC @ 10V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 60 | 6 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 28 - 35天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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R6030KNZC17 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 TO-3PF |
暂无价格 | 60 | 当前型号 | ||||
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R6030KNZC8 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 30A(Tc) ±20V 86W(Tc) 130mΩ@14.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-3P-3 |
￥25.5563
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6 | 对比 |
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