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R6030ENX  与  STF33N60M2  区别

型号 R6030ENX STF33N60M2
唯样编号 A3-R6030ENX A-STF33N60M2
制造商 ROHM Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 600V, 30A, 0.13 OHM, TO-220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 130mΩ@14.5A,10V -
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 40W(Tc) -
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-220FM TO-220FP
工作温度 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 30A -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2100pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 85nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 94 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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TO-220FM

暂无价格 94 当前型号
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¥8.47 

阶梯数 价格
6: ¥8.47
100: ¥7.183
745 对比
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