R6024KNZ1C9 与 STW27NM60ND 区别
| 型号 | R6024KNZ1C9 | STW27NM60ND |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-R6024KNZ1C9 | A-STW27NM60ND |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 245W | - |
| 上升时间 | 50ns | - |
| 漏源极电压Vds | 600V | - |
| Qg-栅极电荷 | 45nC | - |
| 栅极电压Vgs | 3V | - |
| 典型关闭延迟时间 | 60ns | - |
| 正向跨导 - 最小值 | 6.5S | - |
| 封装/外壳 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 24A | - |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 配置 | Single | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 下降时间 | 12ns | - |
| 典型接通延迟时间 | 30ns | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 1mA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2000pF @ 25V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 150mΩ | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 45nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 60 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R6024KNZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-247-3 24A 245W 150mΩ 600V 3V |
暂无价格 | 60 | 当前型号 | ||||
|
STW26NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 20A |
暂无价格 | 600 | 对比 | ||||
|
|
STW26NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 20A |
￥6.2016
|
25 | 对比 | ||||
|
|
STW26NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 20A |
￥6.3975
|
14 | 对比 | ||||
|
STW24N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 3 | 对比 | ||||
|
|
STW27NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
