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R6024ENJTL  与  AOB25S65L  区别

型号 R6024ENJTL AOB25S65L
唯样编号 A3-R6024ENJTL A-AOB25S65L
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 150mΩ 190 mΩ @ 12.5A,10V
上升时间 50ns -
漏源极电压Vds 600V 650V
Pd-功率耗散(Max) 245W 357W(Tc)
Qg-栅极电荷 70nC -
栅极电压Vgs 2V ±30V
典型关闭延迟时间 180ns -
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB TO-263(D?Pak)
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 24A 25A(Tc)
系列 SuperJunction-MOSEN -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
栅极电荷Qg - 26.4nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 50ns -
典型接通延迟时间 35ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6024ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 100 当前型号
AOB20S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO263

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