首页 > 商品目录 > > > > R6020YNXC7G代替型号比较

R6020YNXC7G  与  STF24N60M2  区别

型号 R6020YNXC7G STF24N60M2
唯样编号 A3-R6020YNXC7G A3-STF24N60M2
制造商 ROHM Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 600V 12A TO-220FM, Fast switching power MOSFET N-Channel 600 V 190 mO Flange Mount MDMesh II Plus Mosfet - TO-220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 0.154Ω@12V 190mΩ@9A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 62W 30W(Tc)
栅极电压Vgs ±30V ±25V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220FM TO-220FP
连续漏极电流Id 12A 18A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
系列 - MDmesh™ II Plus
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1060pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 29nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 40 30,000
工厂交货期 3 - 15天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6020YNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220FM N-Channel ±30V 600V 12A 0.154Ω@12V 62W

暂无价格 40 当前型号
IPA60R180C7XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R180C7_N 通道 TO-220-3 整包 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
STF24N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 30W(Tc) 190mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 18A

暂无价格 30,000 对比
STF24N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 30W(Tc) 190mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 18A

¥4.455 

阶梯数 价格
20: ¥4.455
100: ¥3.553
1,000: ¥3.41
10,498 对比
STF24N60M6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220FP

暂无价格 0 对比
IPA60R180C7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R180C7XKSA1_180mΩ 600V 9A TO-220 FullPAK N-Channel -55°C~150°C 3V,4V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售