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R6020ENX  与  STF26NM60N  区别

型号 R6020ENX STF26NM60N
唯样编号 A3-R6020ENX A36-STF26NM60N
制造商 ROHM Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 196mΩ@10A,10V 165mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 50W(Tc) 35W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220FP
连续漏极电流Id 20A(Tc) 20A
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ)
系列 - MDmesh™ II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1800pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1400pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
库存与单价
库存 100 3
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6020ENX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 100 当前型号
STF24N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220FP

¥4.895 

阶梯数 价格
20: ¥4.895
100: ¥3.916
1,000: ¥3.63
9,361 对比
STF24NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220FP

¥7.051 

阶梯数 价格
8: ¥7.051
100: ¥5.643
288 对比
IPA60R190P6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R190P6XKSA1_10.65mm

¥8.195 

阶梯数 价格
7: ¥8.195
10: ¥6.303
189 对比
STF26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220FP

暂无价格 3 对比
IPA60R180C7XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R180C7_TO-220-3整包

暂无价格 0 对比

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