R6020ENX 与 STF26NM60N 区别
| 型号 | R6020ENX | STF26NM60N |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-R6020ENX | A3-STF26NM60N |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 196mΩ@10A,10V | 165mΩ@10A,10V |
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | 50W(Tc) | 35W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±30V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220FP |
| 连续漏极电流Id | 20A(Tc) | 20A |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | 150°C(TJ) |
| 系列 | - | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1800pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 60nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 1mA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1400pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 60nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 122 | 3,000 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 5 - 7天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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R6020ENX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 50W(Tc) 196mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 122 | 当前型号 | ||||||||
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STF24NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 30W(Tc) 190mΩ@8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 17A |
暂无价格 | 60,000 | 对比 | ||||||||
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STF24N60M2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 30W(Tc) 190mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 18A |
￥4.246
|
7,964 | 对比 | ||||||||
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STF24N60M2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 30W(Tc) 190mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 18A |
暂无价格 | 4,850 | 对比 | ||||||||
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STF26NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 35W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 20A |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||
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STF24NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 30W(Tc) 190mΩ@8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 17A |
￥5.632
|
1,000 | 对比 |
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