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R6015KNX  与  SPA15N60C3XKSA1  区别

型号 R6015KNX SPA15N60C3XKSA1
唯样编号 A3-R6015KNX A-SPA15N60C3XKSA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 15A TO220-FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 34W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 290mΩ@6.5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 60W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1660pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3 整包
连续漏极电流Id 15A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 675uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 63nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 280 毫欧 @ 9.4A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 15A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 650V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1050pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 27.5nC @ 10V -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6015KNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 100 当前型号
STF22NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥7.557 

阶梯数 价格
7: ¥7.557
100: ¥6.039
1,000: ¥5.599
4,600 对比
STF18N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

¥4.752 

阶梯数 价格
20: ¥4.752
21 对比
SPA15N60C3XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPA15N60C3_TO-220-3整包

暂无价格 0 对比
STF18NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 0 对比
FCPF260N60E ON Semiconductor 功率MOSFET

TO-220-3整包 TO-220FP

暂无价格 0 对比

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