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R6015ENX  与  SPA20N60CFD  区别

型号 R6015ENX SPA20N60CFD
唯样编号 A3-R6015ENX A-SPA20N60CFD
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.85mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 290mΩ@6.5A,10V 220mΩ
上升时间 - 15ns
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 40W(Tc) 35W
栅极电压Vgs ±20V 20V
典型关闭延迟时间 - 59ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 -
连续漏极电流Id 15A(Tc) 20.7A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSCFD
长度 - 10.65mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 6.4ns
典型接通延迟时间 - 12ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 910pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V -
高度 - 16.15mm
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6015ENX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 100 当前型号
TK290A60Y,S4X Toshiba  数据手册 通用MOSFET

TO-220SIS

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STP20NM60FP STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

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SPA16N50C3XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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TO-220-3整包 TO-220FP

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