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R6013VND3TL1  与  IPD60R280CFD7  区别

型号 R6013VND3TL1 IPD60R280CFD7
唯样编号 A3-R6013VND3TL1 A-IPD60R280CFD7
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 600V 13A TO-252, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 280mΩ
Moisture Level - 1 Ohms
漏源极电压Vds - 600V
Ciss - 807.0 pF
Coss - 14.0pF
RthJA max - 62.0K/W
栅极电压Vgs - 3.5V,4.5V
Special Features - fast recovery diode
FET类型 - N-Channel
Qgd - 5.0 nC
Pin Count - 3.0 Pins
封装/外壳 TO-252 DPAK (TO-252)
Mounting - SMT
连续漏极电流Id - 9A
RthJC max - 2.43 K/W
工作温度 - -55°C~150°C
QG (typ @10V) - 18.0 nC
Ptot max - 51.0W
Budgetary Price €€/1k - 0.71
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6013VND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 100 当前型号
IPD60R280P7SAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R280P7S_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
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IPD60R280CFD7ATMA1_280mΩ 600V 9A DPAK (TO-252) -55°C~150°C N-Channel 3.5V,4.5V

暂无价格 0 对比
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D-PAK(TO-252)

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IPD60R280CFD7_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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