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R6011KNJTL  与  SPB11N60S5  区别

型号 R6011KNJTL SPB11N60S5
唯样编号 A3-R6011KNJTL A-SPB11N60S5
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 390mΩ@3.8A,10V 380mΩ
上升时间 - 35ns
栅极电压Vgs ±20V 3.5V,5.5V
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK (TO-263)
连续漏极电流Id 11A(Tc) 11A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
配置 - Single
QG (typ @10V) - 41.5 nC
Ptot max - 125.0W
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 20ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V -
高度 - 4.4mm
Budgetary Price €€/1k - 1.22
漏源极电压Vds 600V 600V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 124W(Tc) 125W
典型关闭延迟时间 - 150ns
FET类型 - N-Channel
Mounting - SMT
RthJC max - 1.0 K/W
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSS5
典型接通延迟时间 - 130ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V -
库存与单价
库存 90 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6011KNJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

600V 11A(Tc) ±20V 124W(Tc) 390mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 90 当前型号
STB15N80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
SPB11N60S5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPB11N60S5ATMA1_125W 380mΩ 600V 11A D2PAK (TO-263) N-Channel 3.5V,5.5V -55°C~150°C

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IPB60R299CP Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R299CPATMA1_600V 11A 270mΩ 20V 96W N-Channel -55°C~150°C

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STB15N80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

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AOB11S65 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 650V 30V 11A 198W 399mΩ@10V

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