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R6011KNJTL  与  AOB11S65  区别

型号 R6011KNJTL AOB11S65
唯样编号 A3-R6011KNJTL A-AOB11S65
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 1.1
Rds On(Max)@Id,Vgs 390mΩ@3.8A,10V 399mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 4.3
栅极电压Vgs ±20V 30V
Td(on)(ns) - 25
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB TO-263
连续漏极电流Id 11A(Tc) 11A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
Ciss(pF) - 646
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 278
Td(off)(ns) - 77
漏源极电压Vds 600V 650V
Pd-功率耗散(Max) 124W(Tc) 198W
Qrr(nC) - 4200
VGS(th) - 4
FET类型 - N-Channel
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V -
Coss(pF) - 42
Qg*(nC) - 13.2*
库存与单价
库存 90 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6011KNJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

600V 11A(Tc) ±20V 124W(Tc) 390mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 90 当前型号
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TO-263-3

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AOB11S65 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 650V 30V 11A 198W 399mΩ@10V

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