R6009KNX 与 STF10NM60N 区别
| 型号 | R6009KNX | STF10NM60N | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-R6009KNX | A36-STF10NM60N | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | STMicroelectronics | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | ||||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 535mΩ@2.8A,10V | 550mΩ@4A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 48W(Tc) | 25W(Tc) | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±25V | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220-3 | ||||
| 连续漏极电流Id | 9A(Tc) | 10A(Tc) | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 1mA | 4V @ 250µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 540pF @ 25V | 540pF @ 50V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 16.5nC @ 10V | 19nC @ 10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 200 | 944 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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R6009KNX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 9A(Tc) ±20V 48W(Tc) 535mΩ@2.8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 200 | 当前型号 | ||||||
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STFU14N80K5 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FP |
暂无价格 | 143,000 | 对比 | ||||||
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STF10NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 10A(Tc) ±25V 25W(Tc) 550mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 127,000 | 对比 | ||||||
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STF13N80K5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||||
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STF11NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||||
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STF10NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 10A(Tc) ±25V 25W(Tc) 550mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 |
￥3.113
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944 | 对比 |
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