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R6009ENX  与  IPA70R600P7S  区别

型号 R6009ENX IPA70R600P7S
唯样编号 A3-R6009ENX A-IPA70R600P7S
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 535mΩ@2.8A,10V 600mΩ
RoHS compliant - yes
漏源极电压Vds 600V 700V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 40W(Tc) -
Rth - 5.0K/W
栅极电压Vgs ±20V 2.5V,3.5V
RthJA max - 80.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 3.7nC
Pin Count - 3.0Pins
封装/外壳 TO-220-3 TO-220 FullPAK
Mounting - THT
连续漏极电流Id 9A(Tc) 8.5A
工作温度 150°C(TJ) -40°C~150°C
Ptot max - 24.9W
QG - 10.5nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V -
Budgetary Price €€/1k - 0.39
RthJC max - 5.0K/W
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6009ENX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 9A(Tc) ±20V 40W(Tc) 535mΩ@2.8A,10V 150°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 100 当前型号
STF13N65M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

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AOTF12N60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 600V 30V 12A 50W 550mΩ@10V

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IPA70R600P7SXKSA1_600mΩ 700V 8.5A TO-220 FullPAK N-Channel -40°C~150°C 2.5V,3.5V

暂无价格 0 对比
FCPF11N60F ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±30V 380 毫欧 @ 5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 整包 N-Channel 600V 11A(Tc) TO-220F-3

暂无价格 0 对比

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