R6004KNJTL 与 FQB8N60CTM 区别
| 型号 | R6004KNJTL | FQB8N60CTM |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-R6004KNJTL | A3t-FQB8N60CTM |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 600 V 7.5 A 1.2 O Surface Mount QFET® Mosfet - TO-263 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 3.13W(Ta),147W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 980mΩ@1.5A,10V | 1.2 欧姆 @ 3.75A,10V |
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | 58W(Tc) | 3.13W(Ta),147W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±30V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
| 连续漏极电流Id | 4A(Tc) | 7.5A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 1255pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 36nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 1mA | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 280pF @ 25V | 1255pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 10.2nC @ 10V | 36nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 100 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
R6004KNJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 4A(Tc) ±20V 58W(Tc) 980mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
暂无价格 | 100 | 当前型号 | ||||||
|
STB6NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 21,000 | 对比 | ||||||
|
STB6N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 13,000 | 对比 | ||||||
|
STB6NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
¥5.148
|
478 | 对比 | ||||||
|
STB6NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
FQB8N60CTM | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
7.5A(Tc) ±30V 3.13W(Ta),147W(Tc) 1.2Ω@3.75A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 600V 7.5A 1.2 欧姆 @ 3.75A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |