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R6004KNJTL  与  STB6NK60ZT4  区别

型号 R6004KNJTL STB6NK60ZT4
唯样编号 A3-R6004KNJTL A3-STB6NK60ZT4
制造商 ROHM Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB TO-263-3
连续漏极电流Id 4A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 980mΩ@1.5A,10V -
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 58W(Tc) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 280pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.2nC @ 10V -
栅极电压Vgs ±20V -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6004KNJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

600V 4A(Tc) ±20V 58W(Tc) 980mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 100 当前型号
STB6NK60ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
FQB8N60CTM ON Semiconductor 功率MOSFET

7.5A(Tc) ±30V 3.13W(Ta),147W(Tc) 1.2Ω@3.75A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 600V 7.5A 1.2 欧姆 @ 3.75A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
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TO-263-3

暂无价格 0 对比

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