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R6004KNJTL  与  AOB9N70L  区别

型号 R6004KNJTL AOB9N70L
唯样编号 A3-R6004KNJTL A-AOB9N70L
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 7.4
Rds On(Max)@Id,Vgs 980mΩ@1.5A,10V 1200mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 11.6
栅极电压Vgs ±20V 30V
Td(on)(ns) - 35
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB TO-263
连续漏极电流Id 4A(Tc) 9A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
Ciss(pF) - 1357
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 280pF @ 25V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 375
Td(off)(ns) - 76
漏源极电压Vds 600V 700V
Pd-功率耗散(Max) 58W(Tc) 236W
Qrr(nC) - 7500
VGS(th) - 4.5
FET类型 - N-Channel
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.2nC @ 10V -
Coss(pF) - 113
Qg*(nC) - 28.5*
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6004KNJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

600V 4A(Tc) ±20V 58W(Tc) 980mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 100 当前型号
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暂无价格 0 对比
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