R6004KNJTL 与 AOB9N70L 区别
| 型号 | R6004KNJTL | AOB9N70L |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-R6004KNJTL | A-AOB9N70L |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 7.4 |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 980mΩ@1.5A,10V | 1200mΩ@10V |
| ESD Diode | - | No |
| Qgd(nC) | - | 11.6 |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 30V |
| Td(on)(ns) | - | 35 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB | TO-263 |
| 连续漏极电流Id | 4A(Tc) | 9A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| Ciss(pF) | - | 1357 |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 1mA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 280pF @ 25V | - |
| Schottky Diode | - | No |
| Trr(ns) | - | 375 |
| Td(off)(ns) | - | 76 |
| 漏源极电压Vds | 600V | 700V |
| Pd-功率耗散(Max) | 58W(Tc) | 236W |
| Qrr(nC) | - | 7500 |
| VGS(th) | - | 4.5 |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 10.2nC @ 10V | - |
| Coss(pF) | - | 113 |
| Qg*(nC) | - | 28.5* |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 100 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R6004KNJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 4A(Tc) ±20V 58W(Tc) 980mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
暂无价格 | 100 | 当前型号 | ||||||
|
STB6N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 13,000 | 对比 | ||||||
|
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STB6NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
￥5.148
|
788 | 对比 | ||||||
|
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STB6NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
AOB9N70L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 700V 30V 9A 236W 1200mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
STB6NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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