R6004ENJTL 与 STB6N60M2 区别
| 型号 | R6004ENJTL | STB6N60M2 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-R6004ENJTL | A3-STB6N60M2 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 900mΩ@1.5A,10V | - |
| 上升时间 | 22ns | - |
| 漏源极电压Vds | 600V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 58W | - |
| Qg-栅极电荷 | 15nC | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| 典型关闭延迟时间 | 55ns | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | TO-263-3 | D2PAK |
| 连续漏极电流Id | 4A | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C | - |
| 系列 | SuperJunction-MOSEN | - |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 配置 | Single | - |
| 下降时间 | 40ns | - |
| 典型接通延迟时间 | 22ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 100 | 13,000 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 5 - 7天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R6004ENJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
4A 58W 900mΩ@1.5A,10V 600V ±20V TO-263-3 -55°C~150°C N-Channel |
暂无价格 | 100 | 当前型号 | ||||||
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STB6N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 13,000 | 对比 | ||||||
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STB6NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
￥5.148
|
788 | 对比 | ||||||
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STB6NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
AOB9N70L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 700V 30V 9A 236W 1200mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
STB6NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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