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R6004ENJTL  与  FQB8N60CTM  区别

型号 R6004ENJTL FQB8N60CTM
唯样编号 A3-R6004ENJTL A3-FQB8N60CTM
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 7.5 A 1.2 O Surface Mount QFET® Mosfet - TO-263
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 3.13W(Ta),147W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 900mΩ@1.5A,10V 1.2 欧姆 @ 3.75A,10V
上升时间 22ns -
Qg-栅极电荷 15nC -
栅极电压Vgs ±20V ±30V
封装/外壳 TO-263-3 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
连续漏极电流Id 4A 7.5A
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 40ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1255pF @ 25V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 58W 3.13W(Ta),147W(Tc)
典型关闭延迟时间 55ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 SuperJunction-MOSEN QFET®
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1255pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 36nC @ 10V
典型接通延迟时间 22ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 36nC @ 10V
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6004ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

4A 58W 900mΩ@1.5A,10V 600V ±20V TO-263-3 -55°C~150°C N-Channel

暂无价格 100 当前型号
STB6NK60ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
FQB8N60CTM ON Semiconductor 功率MOSFET

7.5A(Tc) ±30V 3.13W(Ta),147W(Tc) 1.2Ω@3.75A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 600V 7.5A 1.2 欧姆 @ 3.75A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
STB6NK60ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
SPB04N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPB04N60C3ATMA1_-55°C~150°C(TJ) 600V 4.5A 950mΩ 20V 50W N-Channel

暂无价格 0 对比
STB6NK60ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比

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