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R6004ENJTL  与  SPB04N60C3  区别

型号 R6004ENJTL SPB04N60C3
唯样编号 A3-R6004ENJTL A-SPB04N60C3
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 900mΩ@1.5A,10V 950mΩ
上升时间 22ns 2.5ns
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 58W 50W
Qg-栅极电荷 15nC -
栅极电压Vgs ±20V 20V
典型关闭延迟时间 55ns 58.5ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 -
连续漏极电流Id 4A 4.5A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 SuperJunction-MOSEN CoolMOSC3
通道数量 1Channel 1Channel
配置 Single Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 40ns 9.5ns
典型接通延迟时间 22ns 6ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 490pF @ 25V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6004ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

4A 58W 900mΩ@1.5A,10V 600V ±20V TO-263-3 -55°C~150°C N-Channel

暂无价格 100 当前型号
STB6NK60ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
FQB8N60CTM ON Semiconductor 功率MOSFET

7.5A(Tc) ±30V 3.13W(Ta),147W(Tc) 1.2Ω@3.75A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 600V 7.5A 1.2 欧姆 @ 3.75A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
STB6NK60ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
SPB04N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPB04N60C3ATMA1_-55°C~150°C(TJ) 600V 4.5A 950mΩ 20V 50W N-Channel

暂无价格 0 对比
STB6NK60ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比

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