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QSX8TR  与  HN1C03FU-A(TE85L,F  区别

型号 QSX8TR HN1C03FU-A(TE85L,F
唯样编号 A3-QSX8TR A-HN1C03FU-A(TE85L,F
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 三极管/双极型晶体管
描述 TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 1.25W -
功率 - 200mW
特征频率fT 320MHz -
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) - 100mV @ 3mA,30mA
集电极-射极饱和电压 350mV -
产品状态 - 在售
电流-集电极(Ic)(最大值) - 300mA
封装/外壳 SOT-457T US6
电压-集射极击穿(最大值) - 20V
VCBO 30V -
工作温度 -55℃~150℃ 150°C(TJ)
频率-跃迁 - 30MHz
VEBO 6V -
集电极连续电流 1A -
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) - 200 @ 4mA,2V
电流-集电极截止(最大值) - 100nA(ICBO)
直流电流增益hFE 270 -
集电极-发射极最大电压VCEO 30V -
晶体管类型 NPN 2 NPN(双)
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
QSX8TR ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-457T

暂无价格 100 当前型号
HN1C03FU-A(TE85L,F Toshiba  数据手册 三极管/双极型晶体管

US6

暂无价格 0 对比

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