首页 > 商品目录 > > > > QH8MA3TCR代替型号比较

QH8MA3TCR  与  QS8M13TCR  区别

型号 QH8MA3TCR QS8M13TCR
唯样编号 A3-QH8MA3TCR A33-QS8M13TCR
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 29mΩ@7A,10V 28mΩ@6A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.5W 1.5W
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
封装/外壳 TSMT8 TSMT
连续漏极电流Id 7A,5.5A 6A/5A
工作温度 -55°C~150°C 150°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 390pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.5nC @ 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.2nC @ 10V -
库存与单价
库存 29 3,000
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥5.4908
50+ :  ¥3.0856
100+ :  ¥2.9323
500+ :  ¥2.731
1,000+ :  ¥2.6352
2,000+ :  ¥2.5681
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
QH8MA3TCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TSMT8

暂无价格 29 当前型号
QS8M13TCR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TSMT

¥5.4908 

阶梯数 价格
30: ¥5.4908
50: ¥3.0856
100: ¥2.9323
500: ¥2.731
1,000: ¥2.6352
2,000: ¥2.5681
3,000 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售