首页 > 商品目录 > > > > NVR1P02T1G代替型号比较

NVR1P02T1G  与  NTR1P02T1  区别

型号 NVR1P02T1G NTR1P02T1
唯样编号 A3-NVR1P02T1G A32-NTR1P02T1
制造商 ON Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 400mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 180 毫欧 @ 1.5A,10V
漏源极电压Vds - 20V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
连续漏极电流Id - 1A(Ta)
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 165pF @ 5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.5nC @ 5V
库存与单价
库存 9,000 19
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥3.1928
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NVR1P02T1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

暂无价格 9,000 当前型号
NTR1P02T1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

暂无价格 27,000 对比
BSS215P H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS215PH6327XTSA1_2.9mm

¥1.074 

阶梯数 价格
140: ¥1.074
500: ¥1.0541
1,000: ¥1.0541
2,000: ¥1.0442
4,000: ¥1.0442
9,000 对比
NTR1P02T1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

¥1.0516 

阶梯数 价格
50: ¥1.0516
200: ¥0.7249
1,500: ¥0.6589
2,177 对比
NTR1P02T1 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥3.1928 

阶梯数 价格
1: ¥3.1928
19 对比
BSS215P H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS215PH6327XTSA1_2.9mm

暂无价格 12 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售