NVR1P02T1G 与 BSS215PH6327XTSA1 区别
| 型号 | NVR1P02T1G | BSS215PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-NVR1P02T1G | A-BSS215PH6327XTSA1 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | - | 500mW(Ta) |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 产品特性 | 车规 | 车规 |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 346pF @ 15V |
| FET类型 | - | P 通道 |
| 封装/外壳 | SOT-23-3(TO-236) | SOT-23 |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 1.2V @ 11uA |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 3.6nC @ 4.5V |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 150 毫欧 @ 1.5A,4.5V |
| Vgs(最大值) | - | ±12V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 1.5A(Ta) |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 2.5V,4.5V |
| 漏源电压(Vdss) | - | 20V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 9,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NVR1P02T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3(TO-236) 车规 |
暂无价格 | 9,000 | 当前型号 |
|
NTR1P02T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3(TO-236) |
暂无价格 | 27,000 | 对比 |
|
|
NTR1P02T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3(TO-236) |
暂无价格 | 1 | 对比 |
|
BSS215PH6327XTSA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
P 通道 -55°C~150°C(TJ) 车规 SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BSH205G2VL | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 P-Channel 0.48W 150°C 8V,-0.7V -20V -2.3A 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BSS215P H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
20V 1.5A 105mΩ 12V 500mW(1/2W) P-Channel -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
