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NTTFS5116PLTAG  与  RQ3L070ATTB  区别

型号 NTTFS5116PLTAG RQ3L070ATTB
唯样编号 A3-NTTFS5116PLTAG A33-RQ3L070ATTB
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 3.2W(Ta),40W(Tc) -
功率耗散(最大值) - 2W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 52 毫欧 @ 6A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2850 pF @ 30 V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 WDFN 8-PowerVDFN
连续漏极电流Id 5.7A -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 48 nC @ 10 V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1258pF @ 30V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 28 毫欧 @ 7A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 25A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 60 V
库存与单价
库存 0 504
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥6.5448
50+ :  ¥4.8392
100+ :  ¥4.2738
300+ :  ¥3.8905
500+ :  ¥3.8234
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTTFS5116PLTAG ON Semiconductor 功率MOSFET

P-Channel 5.7A(Ta) ±20V 52 毫欧 @ 6A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) WDFN 60V 5.7A

暂无价格 0 当前型号
FDMC5614P ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

5.7A(Ta),13.5A(Tc) ±20V 2.1W(Ta),42W(Tc) 100mΩ@5.7A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN MLP P-Channel 60V 5.7A 8-MLP(3.3x3.3)

暂无价格 21,660 对比
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RQ3L070ATTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 150°C(TJ) 8-PowerVDFN

¥6.5448 

阶梯数 价格
30: ¥6.5448
50: ¥4.8392
100: ¥4.2738
300: ¥3.8905
500: ¥3.8234
1,000: ¥3.7659
3,000 对比
RQ3L070ATTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 150°C(TJ) 8-PowerVDFN

¥6.5448 

阶梯数 价格
30: ¥6.5448
50: ¥4.8392
100: ¥4.2738
300: ¥3.8905
500: ¥3.8234
504 对比

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