NTR4503NT1G 与 FDV303N 区别
| 型号 | NTR4503NT1G | FDV303N | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-NTR4503NT1G-1 | A36-FDV303N | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 30 V 1.5A（Ta） 420mW（Ta） SOT-23-3（TO-236） | N-Channel 25 V 0.45 Ohm Surface Mount Digital FET - SOT-23-3 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率 | - | 350mW(Ta) | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 450 毫欧 @ 500mA,4.5V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 25V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 350mW(Ta) | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±8V | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3(TO-236-3) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 680mA(Ta) | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 50pF @ 10V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 2.3nC @ 4.5V | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.7V,4.5V | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 250µA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 50pF @ 10V | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 2.3nC @ 4.5V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 3,000 | 19,554 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTR4503NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3(TO-236-3) |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 | ||||||||||||
|
ZXM61N03FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
1.4A(Ta) ±20V 625mW(Ta) 220mΩ@910mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V |
￥0.9383
|
22,151 | 对比 | ||||||||||||
|
FDV303N | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 350mW(Ta) 450m Ohms@500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 25V 0.68A 680mA(Ta) 450 毫欧 @ 500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥0.3913
|
19,554 | 对比 | ||||||||||||
|
|
FDV303N | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 350mW(Ta) 450m Ohms@500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 25V 0.68A 680mA(Ta) 450 毫欧 @ 500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
暂无价格 | 15,000 | 对比 | ||||||||||||
|
|
FDN357N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) |
￥1.408
|
6,000 | 对比 | |||||||||||||
|
BSH103,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.5W 150°C 8V 30V |
￥1.727
|
5,789 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
