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NTR4503NT1G  与  FDN357N  区别

型号 NTR4503NT1G FDN357N
唯样编号 A3-NTR4503NT1G-1 A36-FDN357N
制造商 ON Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 表面贴装型 N 通道 30 V 1.5A(Ta) 420mW(Ta) SOT-23-3(TO-236) N-Channel 30 V 60 mOhm Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd - 500mW(Ta)
功率 - 500mW(Ta)
漏源极电压Vds - 30V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SOT-23-3(TO-236-3) SuperSOT
连续漏极电流Id - 1.9A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 235pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.9nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
导通电阻Rds(On) - 60 毫欧 @ 2.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 235pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.9nC @ 5V
库存与单价
库存 3,000 7,653
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.272
200+ :  ¥0.9792
1,500+ :  ¥0.852
3,000+ :  ¥0.792
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTR4503NT1G ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23-3(TO-236-3)

暂无价格 3,000 当前型号
BSH103,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT23 N-Channel 0.5W 150°C 8V 30V

¥4.8141 

阶梯数 价格
5: ¥4.8141
100: ¥3.566
1,000: ¥2.6415
1,500: ¥2.1652
3,000: ¥1.8828
12,270 对比
ZXM61N03FTA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23

暂无价格 9,000 对比
FDN357N ON Semiconductor 通用MOSFET

1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C~150°C(TJ)

¥1.272 

阶梯数 价格
40: ¥1.272
200: ¥0.9792
1,500: ¥0.852
3,000: ¥0.792
7,653 对比
ZXMN3A01FTA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23

暂无价格 3,000 对比
DMN3110S-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 740mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 2.5A(Ta)

暂无价格 3,000 对比

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