NTR4101PT1G 与 NTR1P02T1G 区别
| 型号 | NTR4101PT1G | NTR1P02T1G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-NTR4101PT1G-3 | A3-NTR1P02T1G |
| 制造商 | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | P-Channel 20 V 70 mOhm 0.73 W Surface Mount Trench Power MOSFET - SOT-23 | MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 85m Ohms@1.6A,4.5V | - |
| 漏源极电压Vds | 20V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 420mW(Ta) | - |
| 栅极电压Vgs | ±8V | - |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23-3(TO-236) |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 3.2A | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.2V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 675pF @ 10V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.5nC @ 4.5V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.8V,4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 27,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTR4101PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 420mW(Ta) 85m Ohms@1.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 3.2A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
|
NTR1P02T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3(TO-236) |
暂无价格 | 27,000 | 对比 | ||||||||||
|
DMP2123L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1.4W(Ta) ±12V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 20V 3A(Ta) |
￥0.8316
|
20,094 | 对比 | ||||||||||
|
SI2301-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 15,000 | 对比 | ||||||||||
|
|
SI2301-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
￥0.234
|
15,000 | 对比 | ||||||||||
|
PMV65XP,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 P-Channel 0.48W -55°C~150°C ±12V -20V -2.8A |
￥0.6765
|
14,027 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
