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NTR4003NT1G  与  FDV303N  区别

型号 NTR4003NT1G FDV303N
唯样编号 A3-NTR4003NT1G-2 A36-FDV303N
制造商 ON Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 表面贴装型 N 通道 30 V 500mA(Ta) 690mW(Ta) SOT-23-3(TO-236) N-Channel 25 V 0.45 Ohm Surface Mount Digital FET - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 350mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 450 毫欧 @ 500mA,4.5V
漏源极电压Vds - 25V
Pd-功率耗散(Max) - 350mW(Ta)
栅极电压Vgs - ±8V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 680mA(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 50pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.3nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.7V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 50pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.3nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 155,611
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
130+ :  ¥0.4082
200+ :  ¥0.2626
3,000+ :  ¥0.234
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTR4003NT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
FDV303N ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±8V 350mW(Ta) 450m Ohms@500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 25V 0.68A 680mA(Ta) 450 毫欧 @ 500mA,4.5V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.4082 

阶梯数 价格
130: ¥0.4082
200: ¥0.2626
3,000: ¥0.234
155,611 对比
NX3008NBK,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

NX3008NBK_TO-236AB N-Channel 0.35W 150℃ ±8V 30V 0.4A 车规

¥0.1058 

阶梯数 价格
480: ¥0.1058
1,500: ¥0.0794
3,000: ¥0.063
117,773 对比
DMN53D0U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±12V 520mW(Ta) 2Ω@50mA,5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 50V 0.3A

¥0.5109 

阶梯数 价格
100: ¥0.5109
200: ¥0.3289
1,244 对比
NX3008NBK,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

NX3008NBK_TO-236AB N-Channel 0.35W 150℃ ±8V 30V 0.4A 车规

¥0.2763 

阶梯数 价格
560: ¥0.2763
1,000: ¥0.2158
1,500: ¥0.1769
3,000: ¥0.1538
0 对比
DMN53D0U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±12V 520mW(Ta) 2Ω@50mA,5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 50V 0.3A

暂无价格 0 对比

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