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NTR1P02LT1G  与  IRLML6402TRPBF  区别

型号 NTR1P02LT1G IRLML6402TRPBF
唯样编号 A3-NTR1P02LT1G A32-IRLML6402TRPBF-2
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3 MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 65mΩ@3.7A,4.5V
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 1.3W
栅极电压Vgs - ±12V
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 SOT-23-3(TO-236) SOT-23
工作温度 - -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 3.7A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 633pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
库存与单价
库存 6,000 24,000
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
3,000+ :  ¥0.5459
6,000+ :  ¥0.5323
12,000+ :  ¥0.5189
24,000+ :  ¥0.506
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTR1P02LT1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

暂无价格 6,000 当前型号
IRLML6402TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.5459 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.5459
6,000: ¥0.5323
12,000: ¥0.5189
24,000: ¥0.506
48,000: ¥0.4934
90,000 对比
IRLML6402TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.5459 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.5459
6,000: ¥0.5323
12,000: ¥0.5189
24,000: ¥0.506
36,000 对比
IRLML6402TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.7425 

阶梯数 价格
70: ¥0.7425
200: ¥0.5655
1,500: ¥0.4927
3,000: ¥0.4342
26,762 对比
IRLML6402TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.5459 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.5459
6,000: ¥0.5323
12,000: ¥0.5189
24,000: ¥0.506
24,000 对比
IRLML6402TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.5459 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.5459
6,000: ¥0.5323
12,000: ¥0.5189
24,000: ¥0.506
24,000 对比

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