NTMD4N03R2G 与 AO4842 区别
| 型号 | NTMD4N03R2G | AO4842 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-NTMD4N03R2G | A36-AO4842 | ||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | AOS | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Crss(pF) | - | 41 | ||||||
| Td(off)(ns) | - | 14.9 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 21mΩ@10V | ||||||
| ESD Diode | - | No | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 30mΩ | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2W | ||||||
| Qrr(nC) | - | 4.5 | ||||||
| VGS(th) | - | 2.6 | ||||||
| Qgd(nC) | - | 1.7 | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | 20V | ||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||
| Td(on)(ns) | - | 4.5 | ||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SO-8 | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 7.7A | ||||||
| Ciss(pF) | - | 373 | ||||||
| Schottky Diode | - | No | ||||||
| Trr(ns) | - | 10.5 | ||||||
| Coss(pF) | - | 67 | ||||||
| Qg*(nC) | - | 3.5 | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 37,500 | 2,263 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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NTMD4N03R2G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-SOIC |
暂无价格 | 37,500 | 当前型号 | ||||||||
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AO4842 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 7.7A 2W 21mΩ@10V |
￥1.0076
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2,263 | 对比 | ||||||||
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AO4842 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 7.7A 2W 21mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRF7311PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
29mΩ@6A,4.5V 2W -55°C~150°C(TJ) N-Channel 20V 6.6A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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