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NTJD4152PT1G  与  FDG6316P  区别

型号 NTJD4152PT1G FDG6316P
唯样编号 A3-NTJD4152PT1G A36-FDG6316P
制造商 ON Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.25mm
功率 - 3/10W
Rds On(Max)@Id,Vgs 260mΩ@880mA,4.5V 650 m0hms
零件号别名 - FDG6316P_NL
正向跨导-最小值 - 2.5 S
上升时间 - 13 ns
引脚数目 - 6
最小栅阈值电压 - 0.4V
栅极电压Vgs ±12V -8 V、+8 V
封装/外壳 SOT-363 2.0*1.25*1.0mm
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id -0.88A 700 mA
配置 - Dual
长度 - 2.00mm
最低工作温度 - -55 °C
每片芯片元件数目 - 2
最高工作温度 - +150 °C
高度 - 1mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 8 ns
漏源极电压Vds -20V 146 pF @ -6 V
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 272mW 300mW
晶体管配置 - 隔离式
典型关闭延迟时间 - 8 ns
FET类型 P-Channel 增强
系列 - PowerTrench
通道数量 - 2 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 146pF @ 6V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.4nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 - 5 ns
库存与单价
库存 6,000 0
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTJD4152PT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-363 P-Channel 260mΩ@880mA,4.5V 272mW -55℃~150℃ ±12V -20V -0.88A

暂无价格 6,000 当前型号
DMP2004DWK-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

900mΩ@430mA,4.5V 250mW -65°C~150°C(TJ) SOT-363 P-Channel 20V 0.43A

¥0.6369 

阶梯数 价格
80: ¥0.6369
200: ¥0.5187
1,500: ¥0.4719
3,000: ¥0.4407
5,435 对比
FDG6316P ON Semiconductor 小信号MOSFET

8V 270mΩ@700mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70 P-Channel 12V 0.7A 700 mA 12 V 650 m0hms -8 V、+8 V SOT-363 (SC-70) 增强 2.0*1.25*1.0mm 146 pF @ -6 V

暂无价格 0 对比
PMDT670UPE,115 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMDT670UPE_SOT666 P-Channel 0.33W 150℃ 8V,-0.8V -20V -0.55A

暂无价格 0 对比
FDG6316P ON Semiconductor 小信号MOSFET

8V 270mΩ@700mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70 P-Channel 12V 0.7A 700 mA 12 V 650 m0hms -8 V、+8 V SOT-363 (SC-70) 增强 2.0*1.25*1.0mm 146 pF @ -6 V

暂无价格 0 对比
DMP2004DWK-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

900mΩ@430mA,4.5V 250mW -65°C~150°C(TJ) SOT-363 P-Channel 20V 0.43A

暂无价格 0 对比

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